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5G芯片用氮化镓材料在蕪試制成功
點擊次數:68 發布時間:2019-05-24

記者從西安電子科技大學蕪湖研究院獲悉,作為蕪湖大院大所合作的重點項目,國産化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西電蕪湖研究院試制成功,這标志着今後國内各大芯片企業生産5G通信芯片,有望用上國産材料。

據介紹,氮化镓半導體材料具有寬帶隙、高擊穿場強、高熱導率、低介電常數、高電子飽和漂移速度、強抗輻射能力和良好化學穩定性等優越物理化學性質。成為繼代半導體矽、第二代半導體砷化镓之後制備新一代微電子器件和電路的關鍵材料,特别适合于高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研制。

西安電子科技大學蕪湖研究院依托于西電寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室,研發出全國産的基于碳化矽襯底的氮化镓材料,目前在國際第三代半導體技術領域處于領先水平,将助力5G通信制造領域的國産化進程。西電蕪湖研究院技術總監陳興表示,研究院目前已經掌握了氮化镓材料的生産和5G通信芯片的核心設計與制造能力。下一步他們将盡快将這項技術商用,力争早日推向市場

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